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Zum Wachstum von AIII-BV-Verbindungen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (III) Untersuchungen zur Flächenmorphologie homoepitaktischer GaAs-Schichten

✍ Scribed by Dr. H.-J. Tietze; Prof. Dr. E. Butter

Publisher: John Wiley and Sons
Year: 1973
Tongue: English
Weight: 459 KB
Volume: 8
Category: Article
ISSN: 0232-1300
DOI: 10.1002/crat.19730081113

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✦ Synopsis

Abstract

Für die Oberflächenmorphologie bei der Bildung von GaAs‐Schichten aus Ga‐Lösung wird die primäre Bildung von charakteristischen Löchern verantwortlich gemacht. Die Entstehungsursache dieser Löcher wird gedeutet mit Hilfe geringer Verspannungen, welche aus kleinen Gitterfehlanpassungen resultieren.

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✍ H.-J. Tietze; Dr. R. Andrae; Dozent Dr. E. Butter 📂 Article 📅 1971 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 499 KB

A method for the preparation of GaAs layers of different thickness on GaAs from solutions of Ga a t constant temperatures is described using inner cooling of t h c substrate holder by a gas flow. The dependence of the growth rate on the intensity of inner cooling, movement of the substrate holder, a