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Untersuchungen zum Einfluß von Temperatur und Versetzungen auf die integralen Röntgenintensitäten von Si-Einkristallen

✍ Scribed by Dr. rer. nat. A. Krüger; Dr. rer. nat. H. Stephanik


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1977
Tongue
English
Weight
286 KB
Volume
12
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis


Abstract

Aus Messungen der absoluten integralen Röntgenintensitäten von Siliziumeinkristallen ist es möglich, die Debyetemperatur zu bestimmen. Für einen versetzungsfreien Siliziumkristall wurden für den Temperaturbereich zwischen 90 und 296 K Debyetemperaturen von 543 bis 533 K ermittelt. Der Einfluß von Versetzungen in Silizium auf die Debyetemperatur wurde bei verschiedenen Temperaturen untersucht.


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