Untersuchungen zum Einfluß von Temperatur und Versetzungen auf die integralen Röntgenintensitäten von Si-Einkristallen
✍ Scribed by Dr. rer. nat. A. Krüger; Dr. rer. nat. H. Stephanik
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1977
- Tongue
- English
- Weight
- 286 KB
- Volume
- 12
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Abstract
Aus Messungen der absoluten integralen Röntgenintensitäten von Siliziumeinkristallen ist es möglich, die Debyetemperatur zu bestimmen. Für einen versetzungsfreien Siliziumkristall wurden für den Temperaturbereich zwischen 90 und 296 K Debyetemperaturen von 543 bis 533 K ermittelt. Der Einfluß von Versetzungen in Silizium auf die Debyetemperatur wurde bei verschiedenen Temperaturen untersucht.
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