_ ~_ _ _ _ ~ H. KUHNE akadernie dcr Wissenschaften der DDR Institut fur Halbleiterphysik. Frankfurt (Oder) The Current Understanding of Epitaxial CVD Silicon Layer Doping in the Light of Modelling and Theory Development (IV) The Problem of More-than-one Kind of Dopant Species In Part I V of the present treatise epitaxial silicon layer doping governed by the ratelimiting action of more than one kind of dopant species in the gas is investigated on the theoretical basis which has been derived in the previously published parts. It is shown that both the general reaction scheme of forward and backward reaction steps and the general cliffrrontial equation statement of counterbalancing the fluxes of those reaction steps ant1 the clopant incorporation flux are suitable for solving the problem under consideration.
Only two of the four incorporation-limiting reaction mechanisms, being discussed in the iiiorc recent literature, fulfill the requirements needed to agree with experimental findings on the onc harid and with the limiting case situation of equilibrium incorporation on the othtsr. Arsenic has been selected as the demonstrating dopant element. I m vierten Teil der vorliegenden Arbeit wird die Dotierung epitaktischer Siliciunrschichten fur den Fall untersucht, daB rnehr als nur eine Art von Dotandenspezies in1 Gas bestiriimend am Einbaugeschehen teilnimmt. Hierfiir wird die in den vorangegangenen Teilen entwickclte theoretische Grundlage verwendet. Sowohl das allgerneine Reaktionsschenia cler Hiri-und Riickreaktioneri als auch der allgemeine Differentialgleichungsansatz zur Bilanz der Reaktionsstrome und des Dotierungseinbaustromes sind fur die Losung des betrachtcten Problems erforderlich. Nur zwei der vier in der gegenwartigen Literatur vor- g(,:schlagenen, den Einbau begrenzenden Reaktionsmechanismen erfullen die Forderungen, die zu Einbaugcsetzen fuhreri, welche einerseits mit den experhentellen Befunden und anderorseits niit dern Grenzfall des Gleichgewichtseinbaus iibereinstimmen.