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Surface structure and the origin of antisite domains in GaAs: Ge epitaxial films

โœ Scribed by R.C. Pond; J.P. Gowers; B.A. Joyce


Publisher
Elsevier Science
Year
1985
Weight
49 KB
Volume
152-153
Category
Article
ISSN
0167-2584

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## Abstract Durch Pyrolyse von Ga (CH~3~)~3~๏ฃฟAsH~3~๏ฃฟH~2~ wurden GaAsโ€Epitaxieschichten auf (111)โ€, (110)โ€ und (100)โ€Geโ€Substraten abgeschieden. In dieser Arbeit wird der EinfluรŸ der Wachstumsbedingungen und des Gitterunterschiedes von GaAs und Ge auf die Qualitรคt der GaAsโ€Epitaxieschichten beschrie