✍ Scribed by Dipl. Krist. G. Wagner; Doz. Dr. sc. G. Kühn; Dr. M. Pasemann
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Herrn Professor Hermann NEELS anliilllich seines 65. Geburtstages gewidmet Mit Hilfe von Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und chemischer Bt,ztechnik wurden auf (1 1 1)-GaAs-Substraten gewachsene Gap-Schichten untersucht. Die epitaktische Abscheidung erfolgte durch chemische Transportreaktion mit, Wasserdarnpf als Transportmittel. Die Gap-Schichten besitzen eine grog, Zahl von Versetzungen, Stapelfehlern, Korngrenzen und Mikrozwillingslamellen. Die Dichte dieser Defekte verringert sich mit steigender Schichtdicke. Die Entstehung der Baufehler, besonders die der Mikrozwillingslamellen, wird mit, mechanischen Verspannungen in der Epitaxieschicht in Zu- sammenhang gebracht. Diese resultieren aus der unterschiedlichen Temperaturabhangigkeit der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat und aus der Fehlpassung.
Transmission electron microscope (TEM) observations and chemical etching were made on GaP material grown by vapour phase epitaxy on ( 1 11) GaAs substrates using water vapour as transport agent. This material was found to contain many defeot,s as dislocat,ions, stacking faults, grain boundaries and microtwin lamellae. The density of all these defects decreases with increasing layer thickness. The occurrence of several faults (principally microtwin lamellae) was attributed to the mechanical stress and t,he layer bending as a consequence of the different temperat.ure dependence of the lattice const.ants and the 1att.ice misfit.
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