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Realstrukturuntersuchungen an GaAs mit elektronenmikroskopischen Methoden

✍ Scribed by A. Tempel; Dr. M. Schulz

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1973
Tongue
English
Weight
522 KB
Volume
8
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Mittels der elektronenmikroskopischen Durchstrahlungstechnik und der Abdrucktechnik werden nach dem Czochralskiverfahren in [111]‐Richtung gezogenes GaAs‐Kompaktmaterial und GaAs‐Epitaxieschichten untersucht. Die hierzu benutzten Präparationstechniken, die Strahlätzung für die Transmission und die „insitu‐Bekohlung”︁ für die Abdruckuntersuchung werden beschrieben. Sowohl bei {100}‐ als auch bei {111}‐orientierten Proben treten Bildkontraste auf, die auf Materialinhomogenitäten zurückzuführen sind. Die Ergebnisse der Abdruckuntersuchungen, unter Ausnutzung einer speziellen Zielpräparation, bringen den Beweis, daß die Bildkontraste durch unterschiedliche Probendicken erzeugt werden, die auf Volumeninhomogenitäten zurückzuführen sind.

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