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Defektstrukturuntersuchungen an GaAs-Einkristallen mit Hilfe der IR-Mikroskopie

✍ Scribed by Dr. M. Schulz; R. Sarodnik


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1973
Tongue
English
Weight
603 KB
Volume
8
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis


Abstract

Es wird über IR‐Untersuchungen an Czochralski‐gezogenen GaAs‐Einkristallen berichtet, die mit verschiedenen Elementen dotiert waren. Bei der Verwendung von Silizium und Chrom als Dotanten wurde bereits eine Eigendekoration der Versetzungen beobachtet. An einigen Beispielen wird die geometrische Anordnung und die Verteilung der Versetzungen diskutiert.


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