Precision lattice parameter measurements of VPE-GaP-epitaxial layers by the „Umweganregung” method

✍ Scribed by Dr. H.-G. Brühl

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1978
• Tongue: English
• Weight: 268 KB
• Volume: 13
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19780131018

✦ Synopsis

Precision Lattice Parameter Measurements of WE-Gap-Epitaxial Layers by the Wmweganregung" Method

The "Umweganregung" technique according to a method described by SPOONER and WIL-SON was used for the accurate measurement of lattice parameters of (100) slice of VPEgrown layers of gallium phosphide. The method relies on the selection of an appropriate reflection which produces a pseudo-point of triple diffraction. The result shows that lattice parameters can be determined rapidly and simply to the magnitude of GemiiB einer von SPOONER und WILSON beschriebenen Methode wurde die Technik der Umweganregung zur genauen Gitterkonstantenbestimmung von (100) orientiertem GaP benutzt. Die Gap-Epitaxie-Proben waren aus der Dampfphase gezogen. Die Methode beruht auf der Auswahl einer geeigneten Reflexion, die einen Pseudo-Tripelpunkt erzeugt. Die vorliegende Arbeit zeigt, daB die Gitterkonstante schnell und genau in der GroDenordnung von A bestimmt werden kann.

A.