Dedicated to Professor Dr. Wolfgang Schro Γ ter on the occasion of his 65th anniversary Etching experiments reveal new insights into the character of the complex interaction of structural defects and precipitates in a ribbon grown solar silicon material (RGS). Crystal defects are densely decorated with precipitates which cannot be dissolved by the etch. The etched out chains of precipitates represent their situation in the Si wafer before being etched. SEM combined with EDX are suitable means to investigate these defects. Besides the dislocations and dislocation networks in grain boundaries marked by precipitates (EDX: Si O C), dendrites were found which may affect the electrical properties of a solar cell. At both as-grown surfaces SiC crystallites are built in, which do not activate dislocation sources and so do not increase the dislocation density in the wafer.
Γtzexperimente offenbaren neue Einsichten in den Charakter der komplexen Wechselwirkung zwischen strukturellen Defekten und Ausscheidungen in bandgezogenem Solarsilicium (RGS). Kristalldefekte sind dicht mit Ausscheidungen dekoriert, die sich in dem Γtzmittel nicht auflo Γ sen. Die ausgea Γ tzten Ausscheidungsketten geben ihren Zustand in der Si-Scheibe vor dem Γtzen wieder. SEM in Kombination mit EDX ist geeignet, diese Defekte zu untersuchen. Neben Versetzungen und Versetzungsnetzwerken in Korngrenzen, die durch die Ausscheidungen (EDX: Si O C) markiert werden, werden Dendriten gefunden, die mo Γ glicherweise die elektrischen Solarzelleneigenschaften verschlechtern. An beiden as-grown-Oberfla Γ chen sind SiC-Kristallite eingebaut, die keine Versetzungsquellen anregen, und deshalb die Versetzungsdichte in der Scheibe nicht erho Γ hen.