✍ Scribed by Dr. rer.nat. B. Adolphi; Prof. Dr. rer.nat.habil. G. Blasek
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Es wird die Oxidation von Indium und eutektischen InSn‐ und InBi‐Legierungen untersucht. Dicke und Zusammensetzung der Oxidschichten sind abhängig von der Herstellungstechnologie. Während ein Stück aus einem In‐Barren und eutektische Lotfolien eine 10 nm dicke Oxidschicht aufweisen, hat eine vakuumtechnisch hergestellte In‐Schicht nur eine 3 nm dicke. An der Oberfläche wird InO nachgewiesen, das in der Tiefe in In~2~O~3~ übergeht. Beim Tempern an Luft (250°C) ändert sich die Zusammensetzung der Schicht, aber nicht die Dicke. Unter dem InO liegt vermutlich ein Gemisch aus In~2~O~3~ und In(OH)~3~, das dann wieder in In~2~O~3~ übergeht. Der Anteil des gelösten Sauerstoffs erhöht sich durch Tempern. Bei InSn48 besteht die Oxidschicht aus einem Gemisch aus In‐ und Sn‐Oxiden. Die Oxidschichtdicke wächst durch Aufschmelzen an Luft auf etwa 25 nm, bleibt aber zwischen 10 s und 3 min konstant. InBi34 verhält sich wie In, Bi scheint an der Oxidation nicht teilzunehmen.
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Treatment of GaMe 3 with one equivalent of HO c Hex in toluene at 20 °C leads to [Me 2 GaO c Hex] 2 (4) under evolution of methane. The reaction of InMe 3 with two equivalents of HO c Hex leads under similar conditions not to [MeIn(O c Hex) 2 ] n but to the sesquialkoxide [In{Me 2 In(O c Hex) 2 } 3