On the Mechanism of Chemical Polishing of GaAs Crystals
In order to establish reproducible conditions for chemical lap polishing of GaAs with NaOCl solutions, containing also OH-and CO:--ions, the mechanism of dissolution was investigated using the rotating disk arrangement. I n solutions with excess OC1-concentrations likewise diffusion and a reaction of the first order with respect to OH-and cog-, coriiplexing agents for Ga-ions, control the dissolution rate, and the surfaces of the wafers are polished. OHand COiconcentrations in excess with respect to OC1-lead to rate determining OC1-diffusion and to irregularly polished or film covered surfaces. Diffusion constants for OH-, Cogand OC1-are given. Zur Klarung der Ursachen fur unreproduzierbare Ergebnisse beini Wischpolieren von GaAs in NaOC1-Losungen mit OHund CIg--Beimengungen wurde an rotierenden Scheiben der Auflosungsniechanismus untersucht. I n Losungen mit OCl--UberschuR kontrollierten Diffusion und eine Reaktion 1. Ordnung bezuglieh OHund CO;-, die als Komplexbildner fur Ga-Ionen wirken, die Auflosungsgeschwindigkeit, und man erhalt polierte Oberflachen. Ein UberschuR von OHund COEbeziiglich OC1-fuhrt zu geschwindigkeitsbestirnmenilel. Diffusion der OC1-und zu unregelmhfiig polierten Oberflachen oder Deckschichten. Die Diffusionskonstanten von OH-, COi-irnd OC1-wertlen angegeben.