On Batch Homogeneity in Horizontal CVD Reactors (11) HCl Gas-Phase Etching A general model of the depletion is given, to which the reactive component of the reaction gas mixture in a horizontal CVD-reactor is subjected during its flow along the heater. Furthermore the model of heating the process gas, described in Part I of this work, is used t o derive an expression of the dependence of the thickness 6 of the boundary layer upon the x-coordinate (direction of the flow). Both models are combined to get a model of longitudinal homogeneity of wafer processing in an CVD-reactor, which is applied to the special case of HCl gas phase etching. The predictions derived using the model were compared with experimental results.
Es wird ein allgemeines Modell der Abreicherung aufgestellt, der die reaktive Homponente des Reaktionsgasgemisches beim Uberstromen des Heizers im CVD-Reaktor unterliegt. Ferner wird das in Teil I dieser Arbeit entwickelte Modell der Gaserwarmung dazu verwendet, die Veranderung der Dicke der Stromungsgrenzschicht langs der Stromungsrichtung zu beschreiben. Reide Modelle werden zu einem Modell der Lilngshomogenitiit. der Scheibenbearbeitung kombiniert und auf den Spezialfall der HC1-Gasphasenatzung angewandt. Die erhaltenen Aussagen werden mit experimentellen Ergebnissen verglichen.