Nucleation on dislocations
โ Scribed by John W Cahn
- Book ID
- 102618721
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1957
- Weight
- 425 KB
- Volume
- 5
- Category
- Article
- ISSN
- 0001-6160
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โฆ Synopsis
The activation energy of nucleation of a second phase on a dislocation is calculated, assuming an elastic model of a dislocation and an incoherent precipitate.
It is found that the nucleation energy decreases even more rapidly with increasing thermodynamic driving force, than does the nucleation energy for homogeneous nucleation, becoming zero at a finite value of the supersaturation.
GERMINATION
SUR LES DISLOCATIONS L'energie d'activation pour la germination d'une seconde phase sur une dislocation est calculee en partant d'un modele Blastique d'tme dislocation et d'un precipite incoherent. On trouve qu'avec l'accroissement du potentiel thermodynamique l'energie de germination decroit plus rapidement que dans le cas de germination homogene, devenant nulle pour une valeur finie de la sursaturation. KEIMBILDUNG AN VERSETZUNGEN Unter Zugrundelegung eines elastischen Versetzungsmodells und der Annahme inkohiirenter Ausscheidung wird die Aktivierungsenergie ftir die Keimbildung einer zweiten Phase an einer Versetzung berechnet. Es wurd gefunden, dass in diesem Fall die Keimbildungsenergie bei Zunahme der treibenden thermodynamischen Kraft noch rascher abnimmt, als im Fall der homogenen Keimbildung, und bei einem endlichen Wert der Ubersiittigung Null wird. 1. H. WILSDORF and D. KULHMAN-WILSDORF Report on Conference on Defects in Crystalline Solids, p. 175.
2. R. WEINSTOCR CaZcuZzcs of V~Ations, McGraw-Hill Book
Co. Inc., p. 24 (1952).
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## Abstract Different types of dislocation core are evidenced in silicon depending on the deformation conditions. Perfect (shuffle) dislocations are found for high applied stresses whereas dissociated (glide) dislocations result from the application of moderate or low stresses. This paper is devote