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Modifizierung von SiO2-Oberflächen mit Hilfe von Plasmen Teil I — EPR-spektroskopische Untersuchung der Defektzentren und der Einfluß des Plasmaträgergases auf deren Bildung

✍ Scribed by Klaus Meyer; Hans-Jürgen Tiller; Elisabeth Welz; Wolfgang Kühn

Publisher: Wiley (John Wiley & Sons)
Year: 2010
Weight: 564 KB
Volume: 14
Category: Article
ISSN: 0044-2402
DOI: 10.1002/zfch.19740140405

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Yo < 1 pin = prozentualer Anteil der Teilchen unter 1 e m ; % > 4 pin = prozentualer Anteil der Teilchen uber 4 Fni; Ad pm Diese Werte wurden den Durchgangssummenverteihmgen entnommen, die mit. Hilfe einer Scheibenzentrifuge bestinimt wurden [51, [61.