## Abstract This study investigates extremely thin silicon oxide with thicknesses of 3 to 5 nm produced by various fabrication processes, and the post‐breakdown characteristics are studied. This paper describes the results of comparison. By analysis of the conduction characteristics after intrinsic
Mechanical Considerations of the Growth and Breakdown of Surface Oxide Films
✍ Scribed by Professor Peter Hancock
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1970
- Tongue
- German
- Weight
- 497 KB
- Volume
- 21
- Category
- Article
- ISSN
- 0947-5117
No coin nor oath required. For personal study only.
✦ Synopsis
Abstract
Eine neue Technik zur gleichzeitigen Messung der Oxydationskinetik und des mechanischen Zustands von wachsenden Oxidfilmen wurde entwickelt. Damit konnte gezeigt werden, daß der Oxidzunder auf Armco‐Eisen und Stahl mit 0,2% C während des Wachstums im Temperaturbereich 570 bis 800°C kontinuierliche Rißbildung erleidet. Der Young‐Modul und die Plastizität dieser Oxide wurden gemessen, und die Ergebnisse wurden zur Deutung des Sinterverhaltens der Zunderschichten verwendet. Ähnliche Messungen an zwischen 800 und 1000°C oxidiertem Nickel ermöglichten eine Erklärung der ausgezeichneten Haft‐eigenschaften des Oxids. Der Einfluß der Probengeometrie und der Verunreinigung durch Chloride auf die Oxydationskinetik von Eìsen werden vom mechanischen Standpunkt aus untersucht.
📜 SIMILAR VOLUMES
During the growth of anodic oxide films, surface irregularities of the scale of the thickness of the oxide film are believed to be flattened. The original inner layers of the oxide (new layers are formed on the outside, since metal ions move) are, therefore, constrained to cover a progressively smal