Influence of interstitial ordering of nitrogen in tantalum on electrical resistivity
โ Scribed by Peter Jung; Klaus Trenzinger
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1974
- Weight
- 557 KB
- Volume
- 22
- Category
- Article
- ISSN
- 0001-6160
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โฆ Synopsis
In tantalum samples containing more than 1.2 at.?; of nitrogen in solid solution, electrical resietivi,ty is reduced by up to 59 per cent during annealing. It is shown that this reduction is caused by partial ordering of the nitrogen atoms in the tantalum lattice. Experimental results on the dependence of resistivicy on annealing time, aonealing temperature and nitrogen concentration are discussed. IXFLUESCE DE LX USE ES ORDRE DE L'AZOTE (ISTERSTITIEL) DASS LE TASTALE SL-R LA RESISTIVITE ELECTRIQL-E Le recuit d'echantillons de tantale contenant plus de 1,2cb at. d'azote en solution solide produit une diminution de la resistivite Blectrique qui peut atteindre 58 per cent Les auteurs montrent que cette diminution resulte dune mise en order partielle des atomes d'azote dans le r&au du tantale. Les resultars esperimentaux concernant I'influence de la du& du recuit de la temperature de recuit et de la concentration en azote sur la resistivite sent discutes. DER EISFLGB DER ORDSLXGSEISSTELLGSG DES ISTERSTITIELLES STICKSTOFFS IS TASTAL AIYF DES ELEKTRISCHES WIDERSTAXD Der elektrische Widerstand von Tantalproben mit einem Gehalt an gel&tern Stick&off van mehr UIJ 1,i Xtomprozent erniedrigt sich beim Anlassen mn bis zu 5Syc. Es konnte geseigt werden, c1al.l dieee Abnahme durch eine teilneise Ordnungseinstellung der Stickstoffatome im Tantalgitter veruraacht wird. Die evperirnentell bestimmten Abhangigkeiten des Widerstandes van der AnlaOzeit, AnlaOtemperatur und Stickstoffkonzentration werclen diskutiert.
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