Growth of multilayer oxide films on platinum electrodes by potentiostatic anodization in sulphuric acid solution

✍ Scribed by S. Shibata; M.P. Sumino

• Publisher: Elsevier Science
• Year: 1971
• Tongue: English
• Weight: 693 KB
• Volume: 16
• Category: Article
• ISSN: 0013-4686
• DOI: 10.1016/0013-4686(71)85097-1

✦ Synopsis

The growth of multilayer oxide films on smooth platinum anodes in O-5 M HISOl has been investigated under the potentiostatic conditions where oxygen was evolved vigorously. The range of anodizing condition covered was : electrode potential, 207-2.22 V(nhe); 20-35°C; duration up to 60 min. The growth rate of the multilayer oxide, although it was very small as compared with that of a superficial monolayer oxide, increased with increasing anodization potential, but decreased inversely at potentials higher than 2-13 V. The growth rate of the multilayer oxide film was increased, as a whole, by increasing temperature, but always showed the maximum value at 2-13 V at any temperatures from 20" to 35°C.

At potentiaIs higher than 2.17 V, no m&layer oxide film was formed. This could be caused by the formation of a passive, monolayer oxide film preventing further growth of oxide.

R&sum&

-Etude potentiostatique de la croissance de films d'oxyde en couches multiples sur anodes de platine poli dans H&SO4 0,5 M, dam des conditions d%volution notable d'oxyg&ne. Le domaine d'anodisation s'&end de 2,07-2,22 V (nhe) pour le potentiel d'&ctrode et de 20-35°C pour la temperature, avec une dur& pouvant atteindre 60 min. La vitesse de croissance de l'oxyde en couches multiples, bien qu'elle soit t&s petite cornpark ti celle d'une monocouche d'oxyde supeficiel, augmente avec le pofentiel d'anodisation, mais d&roPt pour des potentiels sup&ieurs B 2,13 V. La vitesse de croissance du film d'oxyde en couches multipIes augmente, dans son ensemble, avec la temperature, mais manifeste toujours une valeur maximum & 2,13 V quelle que soit la temp&ature comprise entre 20 et 35°C. Pour des potentiels sup&ienrs & 2,17 V il ne se forme aucun film d'oxyde en couches multiples. Ceci peut &re dti & la formation d'un fihn d'une seule couche d'oxyde empghant la croissance ult&ieure de l'oxyde. Zusammenfassung-Das Wachsen von Multischicht-Sauerstotien an glatten Platinanoden in 0,5 M HsSOI ist unter den potentiostatischen Bedingungen untersucht worden, wo Sauerstoff kraftvoll entwickelt wurde. Der Bereich der Anodisierhedingung war: Elektrodenpotential 2,07-2,22 V (nhe), 20-35"C, Dauer bis auf 60 min. Obwohl die Wachstumgeschwindigkeit des Multischichtsauerstoffs sehr klein im Vergleich mit der eines Monoschichtsauerstoffs an der Oberf&he war, vergrijsserte sie sich mit ansteigendem Anodisierungspotential, verringerte sich jedoch invers bei hZiheren Potentialen als 2,13 V. Die Wachstumsgeschwindigkeit des Multischicht Sauerstoffihns vergrasserte sich im Ganzen mit Erhijhung der Temperatur, zeigte aber immer bei jeder Temperatur zwischen 20" und 35°C den maximum Wert bei 2,13 V. Bei hliheren Potentialen als 2,17 V bildete sich kein Multischicht Sauerstoffilm. Dies kgnnte durch Bildung eincs pas&en, Monoschicht Sauerstoffilms verursacht worden sein, der weiteres Wachsen des Sauerstoffs verhindert.