Growth and Electron Microscopical Investigations of (CaBa)F2 Epitaxial Layers on GaAs and InP Substrates

✍ Scribed by Dr. B. Schumann; Prof. Dr. sc. nat. G. Kühn; Dr. G. Wagner

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1986
• Tongue: English
• Weight: 668 KB
• Volume: 21
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170210903

✦ Synopsis

Growth and Electron Microscopical Investigations of (CaBa)Fs Epitaxial Layers on GaAs and InP Substrates (CaBa)Fa layers have been grown on (100)-oriented GaAs and I n P substrates by flash evaporation technique. They were investigated by means of electron microscopical methods (RHEED, TED, TEM). Epitaxial growth was found a t temperatures in the range of 725 to 825 K for GaAs Substrates and 700 to 800 K for InP substrates, respectively. The films showed a fine-grained structure end consisted of two phases always with a composition of approximately Cao.ggBao.olF, and Cao.o8Bao.g2F2. This is in accordance with the occurrence of a miscibility gap observed in the binary CaF,-BaF, system.

(Ca, Ba)Fa-Schichten wurden auf (lOO)-orientierte GaAs-und InP-Substrate abgescliieden (Flash-Verdampfung) und mittels elektronenmikroskopischer Verfahren untersucht. Epitaktisches Wachstum trat bei Substrattemperaturen zwischen 726 und 825 K (GaAs) bzw. 700 und 800 K (InP) auf. Die Schichten bestanden immer BUS zwei Phaaen und wiesen eine feinkornige Struktur auf. Die Zusammensetzung betrug etwa Cao,saBao,oiF, und Cao,osBao,o2F2. Dies entspricht dem binaren CaF,-BaF, System mit einer ausgedehnten Mischungslucke im Phasendiagramm.