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Excess carrier recombination in indirect-gap GaAs1−xPx:N

✍ Scribed by Koch, F. ;Mitdank, R. ;Oelgart, G. ;Chlupsa, C.

Book ID: 105380883
Publisher: John Wiley and Sons
Year: 1988
Tongue: English
Weight: 552 KB
Volume: 110
Category: Article
ISSN: 0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2211100119

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2. I n vielen Fallen tritt bei d = 4,06 A ein Reflex zusatzlich auf [relative Intensitat bis 20), der bisher nur als der Nachweis fur das Vorhandensein von Tief-Criptobalit (SiO,) gedeutet und aus dem Auftreten von Wasserdampf im Reaktionsraum gedeutet wurde. Nach dem reinen Zahlenwert kann es sich