Sektion Metallurgie und Werkstofftechnik der Bergakademie Freiberg
EinfluB der Transportkinetik auf die Kristallisation yon AuBIVCz-Verbindungen beim Gasphasentransport
The reported investigation intended to find tendencies in the influence of thermal and chemical conditions of chemical transport reactions on the growth of ZnSiP, and ZnSiAs, crystals. A more favourable crystallisation with less intergrowth is proved, if transport gases of the same systemas e. g. ZnC1, or SiCl,is used instead of PbC1, and TeC1,. -Depending on the concentration of the transporting medium the largest amount of crystals with lengths of more than 5 mm coincides with the point of lowest transport rate. The number of crystal defects increases with the dimensions of the crystals. -From the experimental results a hypothesis for explaining the locally different growth of crystals of ternary compounds is presented. Y C J I O B U ~~ TpaHcnopTa Ha ~p u c ~a n n ~a s q u ~o ZnSiP, ZnSiAs,. O~aaanocb) w o B PaMKaX naHHOfi pa6o~b1 ACCJleAOBaJlA B JIURHbIe XUMHqeCKHX U TepMM' IeCKMX IIyTeM 3aMeHbI CpeACTB TpaHCIlOpTa MOWHO YJIYYTKTb IIpOUeCC KpHCTaJIJlK-3a9MU, eCJIU BMeCTO PbCl2 EfJIM TeCl, npHMeHUTb h C 1 , PI sic&. YAaJIOCb BbIfiCHHTb, 9 T O MaKCHMaJlbHOe KOJIMWCTBO HpUCTa.?JlOB pa3MepOM 6onrue 5 MM J(0CTMraeTCR B 3aBKCUMOCTU OT KOHqeHTpaqUH CpeACTBa TpaHCIIOpTa Tor@, HOrAa CTeneHb TpaHCnOpTa IlpHHHMaJl MUHUMaJlbHOe 3HaYeHUH. %fCJlO Ae@eKTOB KPUC-TaJlJlOB YBeJlHYABaeTCR C 06'6~c~enu1o pa3JlHWIblX B 3aBMCMMOCTJ. d OT MeCTOHaXOm~eHElR MeXaHM3MOB HOBbIllleHUeM pa3Mepa KpMCTaJlJlOB. BbIEBUraeTCH r m o ~e 3 a , c no~owarlo H O T O P O ~~ onmaHHJ.de pe3yn~a~ar n a m KpHcTannH3a~uH. Einleitung Die Methode des Gasphasentransports stellt eine geeignete und universe11 anwendbare Herstellungsvariante fur eine breite Substanzpalette dar. Neben den biniiren Verbindungshalbleitern, z. B. den AIIIBV-Verbindungen, kommt diesem Zuchtungsverfahren bei Verbindungen des Typs AIIBIVC?, insbesondere bei den Siund Ge-enthaltenden Substanzen eine wesentliche Bedeutung zu. Bei der Anwendung des Gasphasentransports zur Darstellung der terniiren AIIBIVC:-Verbindungen sind einige substanzspezifische Besonderheiten zu beachten, die durch die thermischen und physikalisch-chemischen Eigenschaften der entsprechenden Elemente gegeben sind. Die Vertreter der 11. und V. Gruppe des PSE, z. B. Cd, Zn, P, As, werden auf Grund ihres hohen Dampfdruckes in einem geeigneten Temperaturgefiille transportiert. Die schwerfluchtigen Komponenten der IV. Gruppe des PSE, z. B. Si, Ge, mussen hingegen mittels chemischer Transportreaktionen uber die Gasphase in eine fur die