Ein einfaches Modell für ein an einer isoelektronischen Störstelle schwach gebundenes Exziton

✍ Scribed by H. Geistlinger; Prof. Dr. W. Weller

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1981
• Tongue: English
• Weight: 341 KB
• Volume: 493
• Category: Article
• ISSN: 0003-3804
• DOI: 10.1002/andp.19814930417

✦ Synopsis

Abstract

Es wird ein Variationsverfahren angegeben, das die Bindung eines Exzitons an einer isoelektronischen Störstelle für den gesamten Bereich von starker Bindung bis zum freien Exziton beschreibt. Betrachtet wird ein direkter oder indirekter Halbleiter mit einem Leitungs‐ und einem Valenzband, für die Störstelle wird Einzentrennäherung verwendet. Der zentrale Teil der Elektronwellenfunktion wird ohne Effektive‐Masse‐Näherung behandelt. Der Bereich schwacher Bindung wird durch Entwicklung um den Grenzfall des freien Exzitons ausführlich diskutiert, dabei ergibt sich auch noch Bindung des Exzitons in einem kleinen Gebiet oberhalb der Potentialschwelle für Bindung des Elektrons.