## Abstract Es wird ein Variationsverfahren angegeben, das die Bindung eines Exzitons an einer isoelektronischen Störstelle für den gesamten Bereich von starker Bindung bis zum freien Exziton beschreibt. Betrachtet wird ein direkter oder indirekter Halbleiter mit einem Leitungs‐ und einem Valenzban
✦ LIBER ✦
8. Ein einfaches Modell für den Volumenstrom einer Förderschnecke
✍ Scribed by Dr.-Ing. Hermann J. Feise; Timothy A. Bell
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1998
- Tongue
- German
- Weight
- 141 KB
- Volume
- 70
- Category
- Article
- ISSN
- 0009-286X
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