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Détermination du profil de concentration de la couche de transition des hétérostructures Ga1−xAlxAs/GaAs par rendement de photoémission X

✍ Scribed by A. Bouabellou; V.N. Schemelev; I.R. Taguirov


Publisher
Elsevier Science
Year
1987
Tongue
English
Weight
508 KB
Volume
155
Category
Article
ISSN
0040-6090

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