The fabrication of high-power devices requires the creation of deep p-n junctions-typically deeper than 100 lm-, uniform and localized carrier lifetime control, and efficient gettering processes. It is shown how these processes and their interactions influence the device characteristics, and how the processes can be optimized for high-power device technology. Concerning the creation of deep ptype and n-type layers the focus is on deep diffusion processes of aluminum that can be used to generate even laterally structured deep p-type layers, and proton implantation with a subsequent annealing step that provides a proper means to create deep n-type layers.
Keywords: deep diffusion; carrier lifetime; hydrogen-related donor formation; power devices; gettering Schlu ¨sselprozesse bei der Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen mit sehr hoher Sperrspannung sind Prozesse zur Herstellung von tiefen pn-U ¨berga ¨ngen (typischerweise > 100 lm), die gezielte Einstellung von Ladungsgtra ¨gerlebensdauerprofilen und effiziente Getterprozesse. Wir zeigen, wie diese Prozesse und ihre gegenseitige Wechselwirkung die Bauelementecharakteristiken beeinflusst und wie sie optimal eingesetzt werden ko ¨nnen. Schwerpunkte bei der Betrachtung tiefer pn-U ¨berga ¨ngen liegen auf der Diffusion von Aluminium und der wasserstoffinduzierten Donatorbildung.