BiGaIn2S6 – Synthese, Struktur und Eigenschaften

✍ Scribed by Heiko Kalpen; Yuri Grin; Hans Georg von Schnering

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1998
• Tongue: German
• Weight: 228 KB
• Volume: 624
• Category: Article
• ISSN: 0372-7874
• DOI: 10.1002/(sici)1521-3749(199810)624:10<1611::aid-zaac1611>3.0.co;2-9

✦ Synopsis

Inhaltsu È bersicht. Im quaterna È ren System Bi±Ga±In±S wurde die neue Verbindung BiGaIn 2 S 6 in Form rot-transparenter Pla È ttchen erhalten. Sie besitzt eine Phasenbreite zwischen BiGa 1 In 2 S 6 und BiGa 0.8 In 2.2 S 6 . Die Verbindung ist ein Halbleiter mit E g (opt.) = 1.9 eV. ± BiGaIn 2 S 6 kristallisiert monoklin in einem neuen Strukturtyp (a = 1112.0 pm, b = 380.6 pm, c = 1228.0 pm, b = 116.30°, Z = 2, Raumgruppe P2 1 /m, Nr. 11). In stark gewellten 2 D-Fragmenten von (hc) 2 -Kugelpackungen der S-Atome besetzen die In-Atome Oktaederlu È cken (d(In±S) = 262 pm) und die Ga-Atome Tetraederlu È cken (d(Ga±S) = 234 pm) im Inneren der 2 D-Schichten. Die Bi-Atome an der Spitze von trigonalen BiS 3 -Pyramiden (d(Bi±S) = 265 pm) liegen auf der Peripherie der Schichten und werden zusa È tzlich von vier weit entfernten S-Liganden aus der benachbarten Schicht koordiniert (d(Bi± S) = 319 pm). ± Die Bindungsverha È ltnisse eines Bi III -Sulfids werden erstmals mit Hilfe der Elektronen-Lokalisierungs-Funktion (ELF) analysiert.