Berechnung der Ubersattigung bei der Kristallisation von InAs aus der Gasphase
Es wird gezeigt, da13 unter den Bedingungen der Durchfuhrung von Versuchen zur Zuchtung von InAs-Einkristallen aus der Gasphase die partiello Ubersitttigung des Indium-Monojodids, die der Differenz der Partialdriicke dos Indium-Monojodids im Losungs-und Kristallisationsraum cntspricht, als quantitativer Parameter des Kristallisationsprozesses angenommen werden kann, der Voraussagen iiber diesen und uber Ergebnisse in einem groDen Bereich vorgegebener Bedingungen gestattet,.
Die Ergebnisse durchgefuhrter Versuche zur Kristallisation des InAs aus der Gasphase unterstutzen die Aussagen, die auf der Grundlage einer quantitativen Analyse des Transportprozesses gemacht wurden. Die dargelegte Untersuchungsmethode gibt die Moglichkeit, die Parameter der Kristalle beim chemischen Transport, zu steuern.
It. is proved that under experimental conditions for the growing of InAs crystals from the vapour phase the partial supersaturation of indium monoiodide corresponding to the difference of partial pressure of InJ(g) in the source and in the crystallisation zones, can serve as a quantitative process parameter granting predictions on process development and results in a wide range of ruling conditions.
Experiments confirmed the conclusions postulated on the base of quantitative analysis of the transport process. The analysis enables to controll the process parameters of crystal growth by chemical transport.