Titanium was oxidized anodically in molten sodium nitrite, and sodium nitrite containing 1 mol-% sodium peroxide, at constant cd at 315°C. The anodic oxide film showed rectitication, and photocurrent and photovoltage. From these results and the measurements of capacitance of the film, the flhn is proved to consist of a p-i-n junction. The n-region is in contact with titanium electrode and the pregion is in the outermost layer of the oxide. The i-region is between the n-and p-region. The profile of impurity distribution in the p or n-region is divided into two parts, a graded and a constant distribution region. The parameters of the junction were calculated. The theory of "Zener breakdown" was adopted for the breakdown of the oxide film; the electric field at the breakdown voltage was about 10' V/cm. R&mm&-Oxydation anodique du titane B densit6 de courant con&ante, & 315"C, en solvant nitrite de sodium fondu, contenant 1 mole% de peroxyde de sodium. Le film d'oxyde anodique observe implique une rectification, un photocourant et un photovoltage. A partir de ces rt%ultats et de mesures de capacitance du film, il apparaft que celui-ci coasiste en une jonction p-i-n. La r&ion -n est en contact avec 1'6lectrode de titane et la r6gion -p se situe dans la couche la plus exteme de l'oxyde. La region -i est entre les deux.
-p ou -n se divide eh deux parties:
Le prolil de distribution des irnpuret& dans les figions une r&ion de distribution grad&e et une region de distribution constante. L-es param&tres propres & la jonction sont calculb. La th6orie du "zener breakdown" rend compte de la rupture du film d'oxyde, le champ electrique correspondant &ant environ IO* V/cm. Zusammeufassuq-Titan wurde in geschmolzenem Natriumnitrit (zum Teil mit Zugabe von 1 Mel% Natriumperoxyd) auf 315°C galvanostatisch oxydiert. Die anodische Schicht bewirkte Gleichrichtung, Photostrbme und Photospannungen. Dies beweist msatnmen mit Kapazitiitsmessungen, dass die Schicht aus einer p-i-n-Verbindung besteht. Die n-Schicht ist in Kontakt mit dem Metall, die p-Schicht bildet die iiusserste Schicht des Oxyds. Das Verteilungsproa der Venmreinigungcn wird in zwei Teile zerlegt : In ein Gebiet mit variabler und in eines mit konstanter Verteilung der Verunreinigungen. Die Parameter der Verbindung wurden berechnet. Die theorie des 2ener-Durchbruchs" liisst sich auf die Oxydscbicht anwenden;