Generally the ohmic potential drop in a galvanic cell that occurs if a rectangular pulse is led through the cell, is compensated by means of a well-known bridge circuit. A better method making use of a phase reverter is described and its featums are discussed. Exchange current densities up to 1200 mA/cm* can be studied. The error arising from mistompensation of the ohmic drop does not exceed 5 % in that case.
R&stmtLG6n&alement
on compense la chute ohmique qui se produit en faisant passer une pulsation rectangulaire dans une cellule galvanique du circuit de pont bien connu. Une meilleure m&&ode, qui fait usage d'une amplificateur paraphase, est proposke et ses caracteristiques sont d&rites. Suivant cetk m&hode, on peut &udier des densitb de courant d'bhange jusqu'8 1200 mA/cms. Dans cc cas l'erreur produite par une non-compensation de la chute ohmique ne depasse pas 5 %.
ZusammenfassuoB-Im
allgemeinen wird der Ohmschen Spammngsabfall, der entsteht wenn man einen Rechteckimpuls durch eine galvanische Zelle schickt, durch Anwendung einer Brlickenschaltung kompensiert.
Eine beasere Methode, wobei man einen Umkehrverstarker benutzt, wird beschrieben und die Votzllge besprochen. Mit dieser Methode ist es moglich Austauschstromdichten bis 1200 mA/cm* zu nntersuchen. Die Fehler, verursacht durch falsche Kompensation des Ohmschen Spannungsabfalls, sind kleiner als 5 %.