半导体光子学

✍ Scribed by 余金中

• Publisher: 科学出版社
• Year: 2015
• Tongue: Chinese
• Leaves: 419
• Series: 中国科学院大学研究生教材系列
• Category: Library

✦ Table of Contents

目录
封面
半导体光子学
内容简介
序
前言
第1章 引言
1.1 信息时代的前沿学科——光子学
1.2 电子和光子的比较
1.3 半导体电子学的发展历程
1.4 半导体光子学的发展历程
1.5 本书的内容
参考文献
第2章 半导体光子材料
2.1 引言
2.2 半导体光子材料
2.2.1 半导体光子材料的基本特性
2.2.2 半导体光子材料的晶体结构
2.3 半导体的晶格匹配和失配
2.3.1 临界厚度
2.3.2 晶格失配度
2.4 半导体固溶体
2.5 重要的半导体固溶体
2.5.1 AlxGa1-xAs
2.5.2 GaxIn1-xPyAs1-y
2.5.3 (AlxGa1-x)yIn1-yP
2.5.4 GexSi1-x
2.6 半导体光子材料的折射率
2.7 结束语
参考文献
第3章 半导体异质结构
3.1 引言
3.2 半导体异质结概念
3.3 能带的形成
3.4 半导体异质结构的能带图
3.4.1 半导体的EGk关系能带图
3.4.2 安德森能带模型
3.5 几种异质结的能带图
3.5.1 异型异质结的能带图
3.5.2 异型突变异质结
3.5.3 缓变异质结
3.5.4 同型突变异质结
3.5.5 双异质结
3.6 异质结的电学性质
3.6.1 异质结的伏G安特性
3.6.2 异质结的电容G电压特性
3.6.3 异质结对载流子的限制作用
3.6.4 异质结的高注入比
3.6.5 异质结的超注入现象
3.7 异质结的光学特性
3.7.1 异质结对光的限制作用
3.7.2 窗口效应
3.8 结束语
参考文献
第4章 介质波导
4.1 引言
4.2 光的反射和折射
4.2.1 反射定律
4.2.2 折射定律
4.2.3 反射率和透射率
4.2.4 布儒斯特定律
4.2.5 临界角和全反射
4.3 电磁场理论
4.3.1 麦克斯韦方程
4.3.2 波动方程
4.3.3 平面波
4.3.4 有损耗的介质中的平面波
4.4 辐射模、衬底模和波导模
4.5 平板介质波导
4.5.1 全反射
4.5.2 波导条件
4.6 平板介质波导中的TE模
4.6.1 对称波导
4.6.2 偶阶TE模式
4.6.3 奇阶TE模式
4.7 矩形介质波导
4.8 古斯G汉欣位移
4.9 光的模式
4.10 结束语
参考文献
第5章 半导体中的光发射和光吸收
5.1 引言
5.2 辐射复合和非辐射复合
5.2.1 辐射复合
5.2.2 非辐射复合
5.3 光辐射和光吸收的关系
5.3.1 光辐射和光吸收的基本概念
5.3.2 黑体辐射
5.3.3 爱因斯坦关系式
5.3.4 半导体中受激辐射的必要条件
5.3.5 净受激发射的速率
5.3.6 两个能级间的光吸收系数
5.4 跃迁几率
5.4.1 费米黄金准则
5.4.2 矩阵元
5.5 半导体中的态密度
5.6 半导体中的光吸收和光发射
5.6.1 吸收系数
5.6.2 自发辐射和受激辐射速率
5.7 半导体中的光增益
5.8 结束语
参考文献
第6章 半导体发光二极管
6.1 引言
6.2 pn结中的载流子分布
6.3 半导体pn结特性
6.3.1 热平衡时的pn结特性
6.3.2 外加偏压时的pn结特性
6.4 半导体发光二极管材料
6.5 发光二极管的工作原理
6.6 LED器件结构
6.7 高亮度发光二极管和超辐射发光二极管
6.7.1 高亮度发光二极管
6.7.2 超辐射发光二极管
6.8 发光二极管的特性
6.8.1 伏G安特性
6.8.2 PGI 特性
6.8.3 温度特性
6.8.4 光谱特性
6.8.5 调制带宽
6.8.6 发光效率η和出光效率ηout
6.8.7 相干特性
6.8.8 近场和远场分布特性
6.8.9 调制特性和偏振特性
6.9 结束语
参考文献
第7章 半导体激光器
7.1 引言
7.2 异质结对载流子和光波的限制
7.2.1 异质结对载流子的限制
7.2.2 波导对光波的限制
7.2.3 折射率波导和增益波导
7.3 半导体激光器的工作原理
7.3.1 半导体受激发射物质
7.3.2 粒子数反转
7.3.3 谐振腔
7.3.4 阈值条件
7.4 半导体激光器的基本结构
7.4.1 DH、LOC和SCH激光器
7.4.2 条型激光器
7.5 半导体激光器的特性
7.5.1 PGI 和效率特性
7.5.2 阈值特性
7.5.3 效率特性
7.5.4 光谱和模式
7.5.5 近场图和远场图
7.5.6 温度特性
7.5.7 调制特性
7.5.8 退化和寿命
7.6 结束语
参考文献
第8章 量子阱、分布反馈、垂直腔面发射激光器和半导体光放大器
8.1 引言
8.2 超晶格和量子结构
8.2.1 超晶格和量子结构的基本概念
8.2.2 量子结构的能带图和态密度
8.2.3 单量子阱和多量子阱
8.2.4 应变量子阱
8.3 量子阱激光器
8.3.1 量子阱激光器的工作原理
8.3.2 应变量子阱激光器
8.3.3 量子阱激光器的特性
8.4 分布反馈激光器和分布布拉格反射激光器
8.4.1 布拉格光栅
8.4.2 DFB和DBR激光器的结构
8.4.3 光波耦合理论
8.4.4 四分之一波长相移的DFB激光器
8.4.5 DFB激光器的特性
8.5 垂直腔面发射激光器
8.5.1 多层介质膜反射器
8.5.2 VCSEL激光器的结构
8.5.3 VCSEL激光器的特性
8.6 半导体光放大器
8.6.1 半导体光放大器的结构
8.6.2 半导体光放大器的增益
8.6.3 半导体光放大器的噪声
8.7 结束语
参考文献
第9章 光波导器件
9.1 光波导中的模式的计算方法
9.1.1 束传播法
9.1.2 时域有限差分法
9.1.3 薄膜匹配法
9.2 脊形波导的单模条件
9.2.1 矩形截面脊形波导的单模条件
9.2.2 梯形截面脊形波导的单模条件
9.2.3 纳米波导的单模条件
9.3 硅基阵列波导光栅
9.3.1 罗兰圆和AWG的结构
9.3.2 AWG的工作原理
9.3.3 AWG的特性
9.4 微环谐振器
9.4.1 微环谐振器的结构
9.4.2 微环谐振器的光学特性
9.4.3 光滤波器
9.5 光调制器/光开关
9.5.1 硅基波导的调制机理
9.5.2 硅基光开关/调制器的光学结构
9.5.3 光开关/调制器的电学结构
9.5.4 硅基微纳光开关/调制器的特性
9.6 硅基光耦合器
9.6.1 硅基光耦合器的结构
9.6.2 模斑变换器
9.6.3 棱镜耦合器
9.6.4 光栅耦合器
9.7 结束语
参考文献
第10章 半导体光电探测器
10.1 半导体中的光吸收
10.1.1 吸收系数
10.1.2 带间本征光吸收
10.1.3 自由载流子光吸收
10.2 pn结光电二极管
10.3 pin光电二极管
10.4 雪崩光电二极管
10.5 RCE光电探测器
10.6 MSM 光电二极管
10.7 半导体光电探测器的性能
10.7.1 量子效率和响应度
10.7.2 雪崩倍增因子M
10.7.3 暗电流和信噪比
10.7.4 响应时间
10.8 结束语
参考文献
第11章 太阳能电池
11.1 太阳能——最好的能源
11.2 太阳能电池工作原理
11.2.1 光伏效应
11.2.2 太阳能电池的电流G电压特性
11.2.3 光伏效应同材料的关系
11.2.4 太阳能电池的效率
11.3 硅太阳能电池
11.4 非晶硅薄膜太阳能电池
11.4.1 非晶硅薄膜的结构和电子态
11.4.2 非晶硅薄膜的光学特性
11.4.3 非晶硅和非晶锗硅电池
11.5 其他硅基太阳能电池
11.5.1 非晶硅/微晶硅叠层电池
11.5.2 硅量子点电池和黑硅电池
11.6 聚光多结太阳能电池
11.6.1 多结太阳能电池的结构
11.6.2 多结太阳能电池的特性
11.7 太阳能电池的发展趋势
11.8 结束语
参考文献
第12章 半导体光子晶体
12.1 光子晶体
12.1.1 光子晶体概念
12.1.2 光子晶体的特性
12.2 光子晶体能带的计算
12.2.1 基于Bloch理论的平面波展开法
12.2.2 时域有限差分法
12.2.3 超元胞法
12.2.4 计算举例——负折射效应
12.3 光子晶体的应用
12.3.1 光子晶体的能带同器件的关系
12.3.2 光子晶体波导
12.3.3 光子晶体分束器和定向耦合器
12.3.4 光子晶体滤波器
12.3.5 光子晶体光开关/调制器
12.3.6 光子晶体发光器件
12.4 光子晶体的制备
12.5 结束语
参考文献
第13章 半导体光子集成
13.1 信息时代需要光子集成
13.2 光子集成的平台
13.2.1 InP平台和Si平台的比较
13.2.2 SOI
13.3 光子集成的关键技术
13.3.1 外延生长技术
13.3.2 微纳加工技术
13.3.3 键合技术
13.4 硅基光子集成
13.4.1 硅基光子集成方式
13.4.2 硅基光波导器件阵列
13.4.3 硅基光子集成的光源和探测
13.5 光子集成的发展趋势
参考文献
索引
封底