Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im Siliziumeinkristall

✍ Scribed by Dr. rer. nat. W. Geil; Dipl.-Met. M. Markus; Dr. rer. nat. K. Schmugge; Dipl.-Min. R. Thomas

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1976
• Tongue: English
• Weight: 408 KB
• Volume: 11
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19760111208

✦ Synopsis

Abstract

Gegenwärtig werden zahlreiche Arbeiten zum Einfluß von Fremdstoffen auf die Gitterparameter eines Kristalls durchgeführt. Aus solchen Untersuchungen ermittelte man bei Siliziumeinkristallen für bestimmte Dotier‐ und Fremdstoffe Funktionen der Art \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C.,\frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} ist eine Größe, aus der Spannungen im Kristall ermittelt werden können. Nimmt man an, daß

ein Fremdstoff einen Einfluß gemäß Δ__a__/a \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C, $\end{document} hat,

bei den gebräuchlichsten Züchtungsverfahren für zylindrische Siliziumeinkristalle der Fremdstoff so verteilt ist, daß im Mittel seine Konzentration am Kristallrand kleiner ist als im Zentrum des Kristalls,

die im Kristall festgestellte Versetzungsdichte und ‐verteilung dem des stationären Zustandes \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{dN}}{{dt}} $\end{document} = 0 entspricht,

dann ist der Einfluß von \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} auf die Spannungen im Kristall und demzufolge auf die Versetzungsdichte und ‐verteilung vernachlässigbar. Dieses Ergebnis entspricht nicht dem experimentellen Befund. In der Arbeit wird dargestellt, daß bei Anwesenheit von Fremdstoffen im Kristall Spannungen auftreten, die in der Größenordnung der Temperatur‐spannungen liegen und die nicht durch die aus der Literatur bekannten Werte \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} beschrieben werden können.