Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. XI. Das Verhalten des Kupferoxyduls im Stabilitätsgebiet des Kupferoxyds

✍ Scribed by G. Blankenburg

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1954
• Tongue: English
• Weight: 820 KB
• Volume: 449
• Category: Article
• ISSN: 0003-3804
• DOI: 10.1002/andp.19544490606

✦ Synopsis

Inhaltsiibersieht

Aus Uberlegungen wird geschlossen, auf welche Weise eine zweite feste Phase (Kupferoxyd) entstehen kann, wenn man eine Kupferoxydulprobe in das Stabilitatsgebiet des Kupferoxyds bringt. Es zeigt sich dabei, da13 das Ergebnis von dem Wege abhangig ist, auf dem das Stabilitatsgebiet des Kupferoxyduls verlassen wurde. Die Resultate der Wberlegungen sind weitgehend in Wbereinstimmung mit friiher mitgeteilten experimentellen Ergebnissen der Leitfahigkeitsmessung und der mikroskopischen Beobachtung. I) Teilergebnisse aus einer Dissertation der Mathematisch-Naturwissenschaftliohen Fakultit der Martin-Luther-Univeritiit Halle-Wittenberg. X. Mitteilung : Ann. Physik (6) 14, 290 (1964). Dort auch Hinweise auf die friiheren Veroffentlichungen dieser Reihe. 2, G. Blankenburg, C. Fritzsche u. G. Schubart, Ann. Physik (6) 10, 217 3) G. Blankenburg u. 0. Bottger, Ann. Physik (6) 10, 241 (1952); 12,160 (1953) 4) F. Waibel, Wiss. Veroff. Siemens-Konz. 10, Heft 4, 65 (1931). 5 ) G. Blankenburg, Ann. Physik (6) 14, 290 (1964) (X. Mitteilung).

(1962) (III. Mitteilung).