Über die Bestimmung von Dotierungsprofil
✍
Dr. J. Stave; Prof. Dr. G. Becherer; Dipl.-Phys. H. J. Stigge
📂
Article
📅
1973
🏛
John Wiley and Sons
🌐
English
⚖ 616 KB
## Abstract Von Everhart u. a. wurde eine empfindliche Methode zur Untersuchung von Halbleiterkonstruktionen mit wechselndem Leitungstyp in der Nähe der Grenzschicht beschrieben. Wird ein Halbleiter mit energiereichen Elektronen beschossen, entstehen in ihm Elektronen‐Löcherpaare. Können diese Ladu