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Über den Drag der Ladungsträger beim Hall-Effekt

✍ Scribed by H. Schulz


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1963
Tongue
English
Weight
412 KB
Volume
3
Category
Article
ISSN
0370-1972

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis


Abstract

In der Theorie des Hall‐Effekts für das einfachste Modell eines Halbleiters wird im Variationsverfahren die Streuung der Elektronen (E) und Löcher (L) aneinander einschließlich ihrer Drag‐Wirkung berücksichtigt. Insbesondere wird im Zusammenwirken der EE‐ oder LL‐Streuung mit stark energieabhängigen Relaxationsprozessen ein Mechanismus gefunden, der negative Magnetoresistenz bei schwachem Magnetfeld verursachen kann.


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