Über den Drag der Ladungsträger beim Hall-Effekt

✍ Scribed by H. Schulz

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1963
• Tongue: English
• Weight: 412 KB
• Volume: 3
• Category: Article
• ISSN: 0370-1972
• DOI: 10.1002/pssb.19630030112

✦ Synopsis

Abstract

In der Theorie des Hall‐Effekts für das einfachste Modell eines Halbleiters wird im Variationsverfahren die Streuung der Elektronen (E) und Löcher (L) aneinander einschließlich ihrer Drag‐Wirkung berücksichtigt. Insbesondere wird im Zusammenwirken der EE‐ oder LL‐Streuung mit stark energieabhängigen Relaxationsprozessen ein Mechanismus gefunden, der negative Magnetoresistenz bei schwachem Magnetfeld verursachen kann.