Institut f i r physikalischc Chemie der Rulgarisehen Akademie der Wissenschaften Sofia, Bulgarien nber das Wachstum und den Abbau von Gallium-und CBr,-Einkristallen aus eigener Schmelze Es wird eingehend die Morphologie und der Temperaturverlauf von Kristallwachstum und Kristallabbau zweier Modellsubstanzen -Gallium und Tetrabromkohlenstoffin der Kepillare untersucht. Diese beiden Substanzen sind durch eine verhlltnismiil3ig niedrige Schmelzentropie AS, ausgezeichnet, wobei im Falle von CBr, der AS,-Wert niedriger ist als jener kritische Wert von AS, (4cal/grad.Mol), unter welchem nach manchen theoretischen Folgerungen die Bildung atomar diffuser Kristallfronten zu er- warten sind. Besonders eingehend wird der Temperaturverlauf der Abbaugeschwindigkeit beider Modelle untersucht. -Die erhaltenen Resultate zeigen, da13 sich Gallium, dessen Schmelzentropie hart uber dem kritischen AS,-Wert liegt, wie alle anderen, hohe Schmelzentropien aufweisendo Substanzen verhiilt. Die Morphologie und das Kristallisationsverhalten von CBr, hingegen konnen gut durch die Annahme einer diffusen Kristallfront erkliirt werden.
The morphology and the temperature dependence of the velocity of crystal growth and dissolution of gallium-and carbon tetrabromide singlc crystals are investigated using a capillary technique. These two model substances have a relative low entropy of melting, AS,, which in the case of Ga is above, and in the case of CBr, is below the critical value of AS, = 4.0. According to recent theoretical considerations this parameter determines the formation or the absence of an atomically rough crystal-melt interface. Particular interest is given to the dissolution kinetics of Ga and CBr,. Crystallization and dissolution beheviour of Ga has been shown to be similar t o substances having high AS,-values, whereas the morphology, the crystallization and t,he dissolution of CBr, can be explained by assuming an atomically rough crystal-melt boundary.