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Zur Versetzungsbildung an Ritzen auf einkristallinen Silizium-Oberflächen

✍ Scribed by Dr. F.-G. Kirscht; Dr. H. Richter; Dr. R. Baehr; C. Hansch; H.-D. Brocke


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1975
Tongue
English
Weight
741 KB
Volume
10
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis


Abstract

Definiert geritzte (111)‐Scheiben wurden bei 850 °C und 1000 °C getempert und mittels Strukturätzen, Röntgentopographie und Elektronenmikroskopie untersucht. Es wird der Zusammenhang zwischen Versetzungsanordnung und dem erzeugenden Verspannungszustand diskutiert. Die elektronenmikroskopischen Beobachtungen lassen sich interpretieren, wenn man eine Reaktion unter Bildung von Lomer‐Versetzungen annimmt.


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