Zur Struktur natürlicher Oxidschichten auf GaAs-Einkristallen
✍ Scribed by K. Löschke; Dr. G. Kühn; H.-J. Bilz; Dr. G. Leonhardt
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1975
- Tongue
- English
- Weight
- 223 KB
- Volume
- 10
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Zur Struktur natiirlicher Oxidschichten auf GaAs-Einkristallen 1. Einleitung Die Verfolgung der Wachstumsverlaufe von Oxidfilmen auf polierten Halbleiterscheiben ist fur die Bauelementetechnologie (Passivierung, Lagerung von Kristallen, Epitaxte) von praktischem Interesse. Diese Untersuchungen erfolgen im wesentlichen durch ellipsometrische Dickenmessung der gebildeten Filme. zur Bestimmung der Ellipsometerparameter A und Y beruhen aber zumeist auf der Annahme, dalj die Oxidschicht in sich homogen aufgebaut ist (Einfachschicht). Daher werden die optischen Parameter als konstant uber die gesamte Filmdicke und im Verlaufe der Oxydation angesehen.