VPE growth of InGaAS/InP structures using the hydride system

✍ Scribed by Dr. B. Diegner; T. Eberle; K. Jacobs

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1989
• Tongue: English
• Weight: 378 KB
• Volume: 24
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170240704

✦ Synopsis

the Hydride System

Some results on the VPE growth of InGaAslInP structures in the hydride system using a single chamber horizontal reactor are described. The effect of partial pressures of the reactant gases and bypass-HC1 on epitaxial growth of InGaAs is discussed. The GaCl partial pressure was found to be the deciding growth parameter. E s werden einige Resultate der VPE-Zuchtung von InGaAs/InP-Strukturen im Hydridsystem unter Verwendung eines Einkammer-Horizontalreaktors beschrieben. Der EinfluR der Partialdrucke von Reaktionsgasen und Bypass-HC1 auf das epitaxiale Wachstum von InGaAs wird diskut,iert. Als entscheidender Wachstumsparameter erwies sich der GaC1-Partialdruck.