Untersuchung von AIIIB-Halbleitereinkris
✍
V. Geist; R. Flagmeyer; Doz. Dr. G. Otto
📂
Article
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1975
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John Wiley and Sons
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English
⚖ 1015 KB
## Abstract Es wird über Untersuchungen des Schatteneffektes an binären (GaAs, GaP, InSb, GaN) und ternären ((Ga,Al)P; (Ga, Al)As; (Ga, Al)Sb; (Ga, In)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV‐ und 1 MeV‐Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der rückgestreuten Protonen wurde