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Topographie und elektrische Eigenschaften von InAs-Quantenpunkten

✍ Scribed by K. H. Schmidt; M. Versen; C. Bock; D. Reuter; A. D. Wieck; U. Kunze


Publisher
John Wiley and Sons
Year
2000
Tongue
English
Weight
193 KB
Volume
31
Category
Article
ISSN
0933-5137

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## Abstract Die durch Zugabe von Ga und In zur Schmelze hergestellten ZnSiP~2~‐Kristalle unterscheiden sich in ihren elektrischen Eigenschaften wesentlich von undotierten Proben. Insbesondere die aus der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten ermittelten Aktivierungsenergien belegen, daß in b