Themodynamic Approach to Diffusion-Controlled Epitaxial Silicon Deposition in Flow System from SiCl4 + H2 Mixtures
✍ Scribed by Dr.-Ing. W. J. Riedl
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 827 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
No coin nor oath required. For personal study only.
✦ Synopsis
Treatment of diffusion-controlled chemical vapour deposition (CDV) usually neglects supersaturation a t the gas-solid interface, which is the basic condition for crystal growth. A new approach based on metastable equilibria and on the concept of activit,y, taking into account departure from equilibrium has been given and applied t o the system resulting from SiCl, + H, mixtures. The control of activity a t the gassolid interface should provide a method of controlling the morphology and perfection of CVD films.
Die Behandlung der diffusionsbestimmten chemischen Dampfabscheidung (CVD) vernachlassigt gewohnlich die fibersattigung der Gas-fest-Grenzflache, die die Grundbedingung fur das Kristallwachstum darstellt. Die vorliegende Betrachtung grundet sich auf das metastabile Gleichgewicht und auf die Aktivitat. indem die Abweichung vom Gleichgewicht zugrunde gelegt wird. Ein aus (SiC1, + H,)-Mischungeri hestehendes System wird untersucht. Die Beherrschung der Aktivitat der Gasfest-Grenzflache sollte eine Methode zur Regelung der Morphologie und der Perfektion dunner CVD-Schichten ermoglichen.
1. Main steps in chemical vapour deposition (CVD)
SiCI, reduction by H, is one of the most frequently used CVD-processes for epitaxial silicon (