The specific adsorption of thallous ion on to platinum at controlled potential from very dilute solutions in 0.1 M HCI has been studied by means of a radioactive tracer technique. It is shown that adsorption of up to a monolayer of thallium takes place at potentials far removed from the potential for bulk deposition of thallium metal, and that two different adsorption mechanisms appear to be present. An explanation is advanced for the change in apparent saturation surface coverage with applied potential. The integral adsorption coefficient is presented as a function of potential and surface coverage. Resume-L'adsorption specifique de l'ion Thalleux sur Pt a potentiel controle et a partir de solutions diluees dans HCl.O,l M est etudiee au moyen de traceurs radioactifs. Des des potentiels notablement differents de celui correspondant au depart de Tl mttallique massif, l'adsorption se manifeste au dela dune couche monomoleculaire et il semble que deux mecanismes d'adsorption se conjuguent. Une interpretation est suggeree pour rendre compte du changement de saturation apparente du recouvrement superficiel selon la tension appliqde. Le coefficient integral d'absorption est exprime en fonction du potentiel et du recouvrement superticiel. Zusammenfassung-Die spezifische Adsorption von Thallium Ionen bei geregelten Potentiellen von sehr verdtinnten Losungen in 0.1 M HCI, wurde mit Hilfe einer Radioaktiven Technik untersucht. Es wird gezeigt, das die Adsorption bis zu einer Einzelschicht von Thallium durch Potentiellen stattfindet, welche sehr weit von der Potentiellen ftir Massabsetzung von Thalliummetall entfernt sind, und das zwei verschiedene Absorption Mechanismus anwesend zu sein scheinen. Eine Erklarung ist erbracht fiir Anderung in den scheinbaren Slttigungsoberfllchen Abdeckungen mit angewandten Potentiell. Der Integrale Absorption Koeffizient ist als eine Funktion von potentialer und Oberflachen Abdeckung dargestellt.