The nucleation of vacancy condensation cavities on the (100), (111) and (110) metal-oxide interfaces of aluminum
✍ Scribed by T.R Anthony
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1970
- Weight
- 915 KB
- Volume
- 18
- Category
- Article
- ISSN
- 0001-6160
No coin nor oath required. For personal study only.
✦ Synopsis
THE NUCLEATION OF VACANCY CONDENSATION CAVITIES ON THE (lOO), (111) AND (110) METAL-OXIDE INTERFACES OF ALUMINUM* T. R. ANTHONY? The respective supercoolings required to nucleate vacancy condensation cavities on the (loo), the (111) and the (110) metal-oxide interfaces of aluminum were directly observed with 8 hot-stage microsoope. The critical supercooling was found to be significantly lower on the (110) metal-oxide interface then on either the (100) or the (111) metal-oxide interfaces. The relatively smell supercooling on the (110) metal-oxide interface is believed to be the result of the heterogeneous nucle8tion of v8cancy cavities on intersection points of screw dislocations with this interface. Cavity nucleation apparently occurs "homogeneously" on the other two interfaces, whose near-surfaoe regions contain only edge-like dislocations. FORMATION DES VIDES DE CONDENSATION DES LACUNES SUR LES INTERFACES METAL-OXYDE (loo), (111) ET (110) DE L'ALUMINIUM Les surfusions respectivement n&esseires pour donner naissence it des vides de condensation de lecunes sur les interfaces m&al-oxyde (loo), (111) et (110) de l'aluminium ont BtB observbes directement avec un microsclope muni d'un porte&hantillon chauffent. L'suteur a trouvb que la surfusion critique est nettament plus foible sur l'interface m&al+xyde (110) que sur lea interfaces m&al-oxyde (100) et (111). 11 pense que la surf&on relativement faible pour l'interfrtce m&al-oxyde (110) rbsulte de 18 germination inhomogene dea vides de leounes sur les points d'intersection des dislocations vis avec cette interface. La germination des vides se produit apparemment de faTon homogbne sur les deux autres interfaces, dont les regions voisines de la surface contiennent seulement des dislocations de la famille des dislocations coin. DIE KEIMBILDUNG DER DURCH LEERSTELLENKONDENSATION ENTSTANDENEN HOHLRiiUME AUF DEN (lOO)-, (11 I)-UND (1 lo)-METALL-OXID-GRENZFLACHEN IN ALUMINIUM Die zur Keimbildung der durch Leerstellenkondensation entstendenen Hohlrhume auf den (IOO), (11 l)-und (1 lO)-Metell-Oxid-Grenzfltihen in Aluminium notwendigen Unterkiihlungen wurden in einem mit Heizpatrone ausgestatteten Mikroskop direkt beobaohtet. Die kritische Unterkiihlung fiir Kondensation auf (llO)-GrenzAiichen w8r betriichtlich kleiner als 8Uf den beiden anderen Metall-Oxid-Grenzfliichen. Die reletiv kleine notwendige Unterkiihlung auf der (1 IO)-Grenzflilche wird der heterogenen Keimbildung der Leerstellen-Hohlriiume an den DurohstoDpunkten der Schraubenversetzungen duroh diese Grenzfliiche zugeschrieben. Die Keimbildung fiir HohlrBume ist euf den anderen zwei Fl&chen, deren oberfliichennehe Bereiche nur Versetzungen mit Stufencharakter ent,hrtlten, anscheinend "homogen.