The early stages of the precipitation in the Al-Mg,Si system were investigated by isothermal resistivity measurements.
The process of clustering was studied over a wide range of temperature (between -50 and ZOO'C) after two different quenching methods.
The continuous observation of the resistivity led to the investigation of the kinetics of the process near room temperature.
The effect of preageing on the subsequent ageing was also studied by electrical resistivit,y and microhardness measurements. On the basis of the experimental results a new model is suggested for the process of clustering. The most important feature of the process seems to be the decisive role of Si. MECANISME D'AGGLOMERATION DAN-S LES SOLUTIONS SOLIDES SURSATUREES DES ALLIAGES Al-Mg,Si Les premiers stades de pr6cipitation dans le syst&me Al-Mg,Si ont BtB &tudi&s par des mesures de rbsisti-vit6 isotherme. Le processus d'agglom&ation a BtB Btudi6 dans un large domaine de temperatures (entre -50 et +2OO"C), apres trempe (par deux m&hodes de trempe diffbrentes). L'observation continue de la resistivit6 conduit B 1'6tude de la cin&ique du processus au voisinage de la temperature ambiante. L'influence d'un pr6vieillissement sur le vieillissement ult&ieur a BtB 6tudiB Cgalement par r&&tivit& blectrique et par des mesures de microduret& A partir des &sultats expbrimentaux, les auteurs suggerent un nouveau modble pour le processus d'agglom&ation. La principale caract&ristique du processus semble Qtre le rble d&sif de Si. DER AUSSCHEIDUNGSMECHANISMUS IN ijBERSliTTIGTEN Li)SUNGEN DER Al-Mg,Si-LEGIERUNG Die Anfangsstadien der Ausscheidung im System Al-Mg,Si wurden mit Hilfe isothermer Widerstandsmessungen untersucht. Die Clusterbildung wurde in einem groBen Temperaturbereich (zwischen -50 und 200°C) nach Anwendung von zwei verschiedenen Abschreckmethoden erforscht. Die kontinuierliche Beobachtung des elektrischen Widerstandes erlaubte die Untersuchung der Kinetik des Vorgangs in der N&he der Raumtemperatur. Der EinfluR einer Voralterung auf die nachfolgende Alterung wurde durch Messung des elektrischen Widerstandes und der Mikrohhrte bestimmt. Ausgehend van den experimentellen Ergebnissen wird ein neues Model1 fiir die Clusterbildung vorgeschlagen; dabei wird auf die entscheidende Rolle des Si hingewiesen.