The influence of linear solution flow past a horizontal anode on its mode and rate of dissolution has been examined for pure polycrystalline and single-crystal copper in 4, 6, 8 and 10 M aqueous o-phosphoric acid.
In 4 M acid, copper dissolves with crystallographic etching at all potentials and flow rates. Over some 1 V range of anode potential there is a limiting current density that increases approximately as the 0.5 power of the flow rate. In 6, 8 and 10 M acid, dissolution with etching occurs up to the limiting current density, at which polishing sets in; various types of nearly perfect and of defective polishing occur, depending on the potential and flow rate. The limiting current density generally increases with the 05 power of the flow rate, but the relationship shows an inflexion at moderate flow rates. This and other features of the overall process are discussed in terms of the limitation of the overall rate of dissolution mainly by the diffusion layer in the solution and partly by several types of compact solid film on the dissolving metal surface. R&m&Etude de l'influence d'un Bcoulement hydrodynamique linkire sur le mode et le taux de dissolution d'une anode horizontale de cuivre, poly-ou monocristalline, dans une solution aqueuse d'acide orthophosphorique 4, 6, 8 ou 10 M. Aver l'acide 4 M, la dissolution du cuivre est concomittante d'une gravure cristallographique, & tous potentiels et toutes vitesses d'&oulement; il se manifeste une densitk de courant limite dans un intervalle de tension anodique d'environ 1 V et sa valeur croit comme la racine car& de la vitesse d'hulement.
Aux autres concentrations Ctudi&es, un polissage apparait B la densite de courant iimite; il est plus ou moins parfait selon la tension et la vitesse d%coulement; ici encore, la densitt de courant limite croit g peu p&s comme la racine car& de la vitesse d%coulement, bien qu'elle s'infl&hisse aux vitesses mod&es.
Discussion de ces r&sultats, en considerant que la vitesse globale de dissolution doit dtre contr81& a la fois par la diffusion en solution et par le formation de divers types de films compacts recouvrant la surface du m&al en voie d'attaque. Zusammenfassung-Es wurde der Eintluss einer linearen, StrBmung der Lijsung ltings einer horizontalen Anode auf die Art und die Geschwindigkeit ihrer AuflSsung untersucht, wobei sowohl polykristallines Kupfer sowie such Einkristalle in 4, 6, 8 und 10 molarer wlsseriger o-Phosphors&ure-Liisung verwendet wurden. In 4 molarer Slure last sich das Kupfer bei allen Potentialen und Stramungsgeschwindigkeiten mit krystallographischer Atzung auf. In einem Bereich des Anodenpotentials von etwa 1 Volt gibt es einen Grenzstrom, der angenlhert der Quadratwurzel der StrGmungsgeschwindigkeit proportional ist. In 6 und 10 molarer LBsung geht die AuflGsung bis zum Grenzstrom mit Atzung vor sich; Gllnzung setzt beim Grenzstrom ein. Je nach Potential und Striimungsgeschwindigkeit treten verschiedene Arten von Polieren auf. Der Grenzstrom nimmt im allgemeinen proportional der Quadratwurzel der StrBmungsgeschwindigkeit zu; bei mlssigen Geschwindigkeiten wird jedoch eine Abweichung beobachtet. Diese und andere Tatsachen wurden mittels einer Begrenzung der Gesamtgeschwindigkeit der AuflGsung interpretiert, die zur Hauptsache auf die Diffusionsschicht, zum Teil aber such auf verschiedene Typen von festen Deckschichten auf der Oberfllche des sich aufliisenden Metalls zurilCkzufiihren ist.