In a previous paper the enhancement of solvent and solute diffusion upon alloying was discussed at high temperatures in terms of the complex model of Dom and Mitchell and its application to diffusion by Hehenkamp et al., regarding the solute atoms as being randomly distributed around vacancies and introducing an average binding free enthalpy for each complex. In this work the effect of configuration is taken into account additionally according to B&ces and Kovacs, and different binding free enthalpies are introduced in a given complex. Modified expressions are derived for the enhancement factors of solvent and solute diffusion, and the binding free enthalpies of the different complexes and configurations are given as functions of these quantities. An approximation is developed for the calculation of the binding free enthalpy of a vacancy-impurity pair solely from the linear and second order enhancement factors of solvent diffusion. The formalism, which is no longer restricted to high temperatures, is applied to enhancement measurements in &Sn and &Sb alloys in the high temperature range. The results are compared with the previous calculations. The deviations are found to be very small. Zusammenfassung-In einer friiheren Arbeit wurde die Beschleunigung der Selbst-und Fremddiffusion mit der Zulegierung bei hohen Temperaturen im Rahmen des Komplexmodells von Dom und Mitchell und seiner Anwendung auf die Diffusion von Hehenkamp et al. diskutiert. Dabei wurden die Fremdatome als statistisch urn die Leerstellen verteilt angesehen und fur jeden Komplex eine mittlere freie Bindungsenthalpie eingefiihrt. In dieser Arbeit wird zusiitzlich gem%3 Btrces und Kovacs der Einflug der Konfiguration beriicksichtigt, und filr einen gegebenen Komplex werden verxhiedene freie Bindungsenthalpien eingefiihrt. Es werden modifizierte Ausdriicke fur die Anstiegsfaktoren der Selbst-und Fremddiffusion hergeleitet und die freien Bindungsenthalpien der unterschiedlichen Komplexe und Konfiguration als Funktionen dieser GriiBen berechnet. Es wird eine Niherung angegeben, die es gestattet, die freie Leerstelle-Fremdatom Bindungsenthalpie allein aus den linearen und quadratischen Anstiegsfaktoren der Selbstdiffusion zu berechnen. Der Formalismus, der jetzt nicht mehr nur auf hohe Temperaturen beschriinkt ist, wird auf Beschleunigungsmessungen in &Sn-und &Sb-Legierungen im Hochtemperaturbereich angewandt. Die Ergebnisse werden mit den friiheren Rechnungen verglichen. Die Abweichungen erweisen sich als sehr klein.