The ac impedance at spherical Cu microelectrodes in 1 N H,SO, (double-layer impedance) and in &SO,-H&O, solutions (faradaic impedance in parallel with the double-layer impedance) was studied at 50-5000 Ha. Reagents and solutions were purified carefully. Potentiostatic control was maintained where appropriate. A limiting double-layer capacitance of approximately 30 PF per apparent cm* was found at high frequency. Faradaic parameters were evaluated for each CuSO, solution. The variation of exchange cd with Cu*+ concentration (10-8-10-*M), and a rate constant for the process Cu*+ + 2 e--+ Cu, are deduced. Results are compared with previous studies.
R&ma&Etude en courant altematif, dans l'intervalle 50 B 5000 Hz, de l'indwndance de micro-&lectrodes de cuivre sph&iques plongeant dam H,SOI 1 N (impedance de la couche double) ou dans des solutions CuSO,-H,SO& (impedance faradique en parallMe avec l'impedance de la couche double). Les reactifs et les solutions ant et6 soigneusement purif%s. quand n&zessaire.
Le contr6le potentiostatique a &t6 assur6
Pour les hautes fr&quences. on trouve une capacitance limite de la couche double &environ 30 PF par cm3 apparent. CuSO.,.
Le^s param&res faradiques sbnt &al&s pour chaque solution de On en d&l& la variation de la densite de courant d'6chanee avec la concentration en Cua+ (10-8~10-a M) et une constante de vitesse pour le processus Cua+ T 2 e-+ Cu.
Ces r6sultats sent compar& avec des dorm&es ant&ieures. Zusammenfassung-Man untersuchte die Wechselstromimpedanz von kugelfarmigen Kupfer-Mikroelektroden in 1 N H,SO, (Doppelschicht-impedanz) und in CuSO1-H,SO,-Lasungen (Faradayund Doppelschicht-impedanz parallel) im Frequenzbereich zwischen 50 und 5000 Hz. Reagenzien und Lasungen wurden sorgfiiltig gereinigt. Wo dies angezei .i? war, wurde bei konstantem Potential gearbeitet. Bei hohen Frequenzen wurde fiir die Doppelschlc tkapazitlit ein Grenzwert von ungef&hr 30 PF pro cma scheinbarar OberfXiche gefimden. Fiir alle CuS04-Lissungen wurden die Faraday-Parameter berechnet. Die b;ndenmg der Austauschstromdichte mit der Cu'+-Konzentration (lO-*lo-* M), sowie die Geschtidigkeitskonstante der Reaktion Cd+ + 2 e + Cu wurden abgeleitet. Die erhaltenen Resultate werden mit friiheren Untersuchungen verglichen.