Temperature dependence from 250°K to 370°K of dislocation pinning in copper single crystals by radiation defects
✍ Scribed by V.K Paré; D.O Thompson
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1962
- Weight
- 1008 KB
- Volume
- 10
- Category
- Article
- ISSN
- 0001-6160
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✦ Synopsis
Measurements of internal friction and modulus defect at 15 kc/s have been used to study, in the neighborhood of room temperature, the pinning of dislocations in copper crystals by fast-neutron-induced defects. By measuring at various constant temperatures the delayed pinning following a short irradiation, a delay time distribution for the pinning defects was obtained and the process was found to be governed by a single activation energy, 1.1 eV. Although this energy is reasonable for the diffusion of vacancies to dislocations, the shape of the delay time distribution does not agree with theory and the apparent number of jumps at the end of the process is anomalously low. ANCRAGE DES DISLOCATIONS PAR DEFAUTS RADIATIFS DANS DES MONOCRISTAUX DE CUIVRE, ENTRE 250 et 370'K Les auteurs ont pro&de des mesures de la friction inteme et du module de Young B 15 kc/s, clans le voisinage de la temperature ambiante, dam le but d'etudier l'ancrage des dislocations dans cristaux de cuivre par des defauts dus a des neutrons rapides. En mesurant, B differentes temfiratures constantes, l'ancrage qui suivait avec un certain retard une courte irradiation, les auteurs ont obtenu une loi du temps d'inhibition pour les defauts susceptibles d'exercer un effet d'ancrage, et ils ont trouve que le processus correspondait a une energie d'activation unique de 1,l eV. Bien que cette 6nergie corresponde raisonnablement a une diffusion de lacunes vers les dislocations, la forme de la loi du temps d'inhibition n'est pas en accord avec la theorie, et le nombre apparent de sauts it la fin du processus est anormalement baa. TEMPERATURABHANGIKEIT DER STRAHLUNGSBEDINGTEN VERSETZUNGSVERANKERUNG BE1 KUPFEREINKRISTALLEN ZWISCHEN 250 und 370'K Dlmpfungs-und Modulmessungen bei 15 kHz wurden im Raumtemperaturbereich zum Studium der Versetzungsverankeranung durch Fehlstellen in Kupferkristallen eingesetzt, wobei die Fehlstellen surch Bestrahlung mit schnellen Neutronen erzeugt wurden. Bei verschiedenen Temperaturen wurde die auf kurze Bestrahlung folgende verzogerte Versetzunsverankerung gemessen und daraus eine "Verziigerungsfunktion" fiir die verankemden Fehlstellen abseleitet; es zeigt sich, daB der Prozess durch eine einzige Aktivierungsenergie gekennzeichnet ist, die 1,l eV betragt. Obgleich diese Energie ftir die Lcerstellendiffusion zu Versetzungen verntinftig ist, stimmt doch die Form der Verzogerungsfunktion nicht mit der Theorie iiberein, und such die fiir das Ende des Prozesses sich ergebende Sprunghiiufigkeit ist ungewbhnlich niedrig.