fm Strontiumdisilicid SrSi2 bilden die Siliciumatome einen dreidimensionalen Raumnetzverband. Die kurzesten Si-Si-Abstande sind rnit 2,41 A von der gleichen GroBenordnung wie im elementaren Silicium (2,34 A). Die Bindungswinkel Si-Si-Si kommen mit 11 3 2' dem Tetraederwinkel recht nahe. Mit sinkender Elektronegativitat des Erdalkaljmetalls sinkt der kiirzeste Si-Si-Abstand von 2,48 8, im CaSiz uber 2,41 A im SrSiz auf 2,34-2,37 8, im BaSi2. Trotz der unterschiedlichen Kristallstruktur hat bei allen drei Verbindungen ein Siliciumatom jeweils drei direkt gebundene Si-Nachbarn. Jedes Strontiumatom ist von sechs Si-Nachbarn im Abstand von 3,21 A und von zwei weiteren Si-Atomen im Abstand von 3,43 A umgeben. Kristallographische Daten fur SrSiz: Kubisch-pentagonikositetraedrisch 06-P4332, a = 6,540 * 0,002 A; dexp = 3,40 * 0,05 g.cm-3; d, = 3,42 g,cm-3. Die Elementarzelle enthalt vier Sr-Atome, welche die Punktlage 4a besetzen, und acht Si-Atome auf der Punktlage 8c rnit x = 0,428. Das Minimum fur den Richtigkeitsquotienten Qr ist sehr flach: Xsi I 0,420 1 0,422 I 0,424 I 0,426 I 0,428 1 0,430 I 0,434 Qr I 0,143 1 0,128 I 0,114 I 0,109 I 0,lOs 1 0,114 I 0,165 Der Parameter x la8t sich daher nicht mit gro8er Genauigkeit angeben. Mit x = 0,428 wird fur die Ebenenserie (hkO) Qr = 0,108, fur die Serie (hkl) Qr = 0,092 und fur die Ebenenserie (hk2) Qr = 0,I 14. Beim Arbeiten rnit CuK,-StrahlUng macht sich eine Umweganregung bernerkbar.