bei 80°C 20 min)f'"l. Dagegen ist 5 unerwarteterweise gegen MeOH stabil; es bleibt unverandert, selbst wenn es in einer THFIMeOH-Losung 24 h auf 80°C erhitzt wird. (Daher kann LiI mit MeOH entfernt werden.) Bei Bestrahlung allerdings (Hanovia-Mitteldrucklampe, Pyrexfilter, in MeOH/Methylcyclohexan) dissoziiert 5 sofort zu 5a, das mit MeOH in 87% Ausbeute zu reagiert1"I. Einleiten von O2 in eine Methylcyclohexanlosung von 5 ergibt in ca. 60-7O'Yo Ausbeute das Epoxid 11 l4] als HauptproduktIi2l. hv MeOH R2Si=SiR2 4 [R2Si] & R2SiH(OMe) 5 \ 5a 10 R2SiH-Si(OH)R2 R,Si-SiR, !' -9 11
Da die Charakterisierung von 5 einen vorlaufigen Abschlulj erreicht hat, sind einige Anmerkungen und eine Zusammenfassung angebracht: 1. 5 ist das erste unter reduzierenden Bedingungen erhaltene Disilen. 2. Die Si,Si-Doppelbindung wird durch die Substituenten gut abgeschirmt, was sich in der Stabilitat von 5 gegen MeOH manifestiert. 3. Anders als die Geund Sn-Analoga 1 bzw. 2 dissoziiert 5 in Losung nicht nachweisbar. Dies beruht offensichtlich darauf, daO die thermodynamische Stabilitat der Si,Si-Doppelbindung groB gegenuber der der formalen Ge,Ge-und Sn,Sn-Doppelbindungen ist[131. Diese Stabilitat sollte sich in der Lange der Si=Si-Bindung und in der GroBe des Biegewinkels zeigen. Daher wird derzeit eine Rontgen-Strukturanalyse von 5 durchgefiihrt.