✍ Scribed by I. B. Berkutov; V. V. Andrievskii; Y. F. Komnik; O. A. Mironov
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The effect of charge carrier overheating is studied in the p‐type Si/Si~0.87~Ge~0.13~/Si heterostructure. The hole temperature T~h~ can be calculated using three different methods: From a comparison of the changes in the amplitude of the Shubnikov‐de Haas oscillations under the influences of temperature and current, from a comparison of the change of phase relaxation time in the weak localization effect obtained at different temperatures and minimum current and at a given temperature but at different values of current, and from a comparison of the temperature and current dependence of the sample resistance. The temperature dependences values of T~h~ obtained using three different methods were identical and exhibit transition of the two‐dimensional system under study from the regime of “partial inelasticity” to that of small angle scattering at temperature lowering.
Die Überhitzung der Ladungsträger wurde in p‐Typ Si/Si 0.87 Ge 0.13/Si Heterostrukturen untersucht. Die Lochtemperatur T~h~ kann mit drei unterschiedlichen Methoden berechnet werden: Durch den Vergleich der Amplitudenänderungen der Shubnikov‐de Haas Oszillationen unter den Einflüssen von Temperatur und Stromstärke, durch den Vergleich der Änderung der Phasenrelaxationszeit im schwachen Lokalisierungseffekt bei unterschiedlichen Temperaturen, minimaler Stromstärke und bei gegebener Temperatur und unterschiedlicher Stromstärke, sowie durch den Vergleich die Abhängigkeit des Probenwiderstandes von Temperatur‐ und Stromstärke. Die Werte der Temperaturabhängigkeit von T~h~, die nach drei verschiedenen Methoden erhalten wurden, waren identisch und zeigten einen Übergang des betrachteten zweidimensionalen Systems vom Bereich der “partiellen Inelastizität” zur Kleinwinkelstreuung bei tieferer Temperatur.
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